Infineon 600V CoolMOS G7 SJ Type N-Channel MOSFET, 23 A, 600 V Enhancement, 8-Pin HSOF

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 2000 eenheden)*

€ 3.862,00

(excl. BTW)

€ 4.674,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 05 oktober 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2000 +€ 1,931€ 3.862,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
214-4425
Fabrikantnummer:
IPT60R102G7XTMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

23A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

HSOF

Series

600V CoolMOS G7 SJ

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

102mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

141W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

34nC

Forward Voltage Vf

0.8V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.1mm

Standards/Approvals

No

Height

2.4mm

Width

10.58 mm

Automotive Standard

No

This Infineon 600V Cool MOS G7 SJ MOSFET brings together the benefits of the improved 600V Cool MOS™ C7 Gold technology, 4pin Kelvin source capability and the improved thermal properties of the TO-Leadless (TOLL) package to enable a possible SMD solution for high current hard switching topologies such as power factor correction (PFC)

It enables best-in-class R DS(on) in smallest footprint

It has provided production cost reduction

Gerelateerde Links