Infineon 600V CoolMOS G7 SJ Type N-Channel MOSFET, 23 A, 600 V Enhancement, 8-Pin HSOF IPT60R102G7XTMA1

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 21,96

(excl. BTW)

€ 26,57

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 1.510 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 5€ 4,392€ 21,96
10 - 20€ 3,952€ 19,76
25 - 45€ 3,688€ 18,44
50 - 120€ 3,47€ 17,35
125 +€ 3,206€ 16,03

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
214-4426
Fabrikantnummer:
IPT60R102G7XTMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

23A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

600V CoolMOS G7 SJ

Package Type

HSOF

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

102mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

141W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

34nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.8V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.1mm

Standards/Approvals

No

Width

10.58 mm

Height

2.4mm

Automotive Standard

No

This Infineon 600V Cool MOS G7 SJ MOSFET brings together the benefits of the improved 600V Cool MOS™ C7 Gold technology, 4pin Kelvin source capability and the improved thermal properties of the TO-Leadless (TOLL) package to enable a possible SMD solution for high current hard switching topologies such as power factor correction (PFC)

It enables best-in-class R DS(on) in smallest footprint

It has provided production cost reduction

Gerelateerde Links