Infineon DirectFET N-Channel MOSFET, 25 A, 100 V, 3-Pin DirectFET IRF6645TRPBF
- RS-stocknr.:
- 214-4455
- Fabrikantnummer:
- IRF6645TRPBF
- Fabrikant:
- Infineon
Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkortingSubtotaal (10 eenheden, in een pakket van 10)*
€ 12,49
(excl. BTW)
€ 15,11
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00
Tijdelijk niet op voorraad
- 3.320 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per verpakking* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 1,249 | € 12,49 |
| 50 - 90 | € 1,186 | € 11,86 |
| 100 - 240 | € 1,136 | € 11,36 |
| 250 - 490 | € 1,087 | € 10,87 |
| 500 + | € 1,01 | € 10,10 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 214-4455
- Fabrikantnummer:
- IRF6645TRPBF
- Fabrikant:
- Infineon
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 25A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | DirectFET | |
| Package Type | DirectFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 35mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 20nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 42W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 25A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series DirectFET | ||
Package Type DirectFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 35mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 20nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 42W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
This Infineon Strong IRFET power MOSFET is optimized for low RDS(on) and high current capability. It is ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness.
It is optimized for synchronous rectification
Gerelateerde Links
- Infineon DirectFET N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin DirectFET
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V DirectFET
- Infineon DirectFET N-Channel MOSFET 40 V DirectFET IRF7739L1TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V DirectFET IRF7769L1TRPBF
- Infineon DirectFET 375 A 15-Pin DirectFET IRF7749L1TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 75 V DirectFET
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 40 V DirectFET
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET -30 V DirectFET
