Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 124 A, 100 V Enhancement DirectFET IRF7769L1TRPBF

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 3,11

(excl. BTW)

€ 3,76

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 3.943 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 +€ 3,11

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
257-9318
Fabrikantnummer:
IRF7769L1TRPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

124A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

DirectFET

Series

HEXFET

Mount Type

Through Hole

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.50mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

+175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon IRF series is the 100V single n channel strong IRFET power mosfet in a direct FET L8 package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including dc motors, battery management systems, inverters, and dc-dc converters.

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

High current rating

Dual side cooling capability

Low package height of 0.7mm

Low parasitic (1 to 2 nH) inductance package

100 percent lead free (No RoHS exemption)

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.