Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 88 A, 100 V, 3-Pin TO-263 IRFS4410TRLPBF
- RS-stocknr.:
- 214-4459
- Fabrikantnummer:
- IRFS4410TRLPBF
- Fabrikant:
- Infineon
Bulkkorting beschikbaar
Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*
€ 17,41
(excl. BTW)
€ 21,065
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 75,00
Tijdelijk niet op voorraad
- Verzending 3.625 stuk(s) vanaf 16 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per verpakking* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 3,482 | € 17,41 |
| 25 - 45 | € 3,134 | € 15,67 |
| 50 - 120 | € 2,926 | € 14,63 |
| 125 - 245 | € 2,716 | € 13,58 |
| 250 + | € 2,542 | € 12,71 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 214-4459
- Fabrikantnummer:
- IRFS4410TRLPBF
- Fabrikant:
- Infineon
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 88A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 10mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 200W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 180nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 88A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 10mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 200W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 180nC | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
This Infineon HEXFET Power MOSFET has improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS.
It is Halogen-free according to IEC61249-2-21
Gerelateerde Links
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V TO-263 IRFB4410PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V PQFN IRLH5030TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V TO-263 IRL530NSTRLPBF