Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 126 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TSDSON BSZ025N04LSATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 15 eenheden)*

€ 16,17

(excl. BTW)

€ 19,56

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 4.920 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
15 - 60€ 1,078€ 16,17
75 - 135€ 1,025€ 15,38
150 - 360€ 0,981€ 14,72
375 - 735€ 0,938€ 14,07
750 +€ 0,873€ 13,10

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
214-8986
Fabrikantnummer:
BSZ025N04LSATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

126A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TSDSON

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

37nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

69W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5.35mm

Height

1.2mm

Width

6.1 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon 40V and 60V product families feature not only the industry’s lowest R DS(on) but also a perfect switching behaviour for fast switching applications. 15% lower R DS(on) and 31% lower figure of merit (R DS(on) x Q g) compared to alternative devices has been realized by advanced thin wafer technology. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness.

100% avalanche tested

Superior thermal resistance

Optimized for synchronous rectification

Gerelateerde Links