Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 90 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*

€ 2.025,00

(excl. BTW)

€ 2.450,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 01 april 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2500 +€ 0,81€ 2.025,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
215-2519
Fabrikantnummer:
IPD90N06S4L03ATMA2
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

90A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-252

Series

OptiMOS-T2

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

170nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS®-T2 Power-Transistor has 60V maximum drain source voltage, N-Ch, Automotive MOSFET, with DPAK(TO-252) package.

N-channel - Enhancement mode

Automotive AEC Q101 qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Ultra low RDSon

Gerelateerde Links