Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 90 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*

€ 2.125,00

(excl. BTW)

€ 2.575,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 2.500 stuk(s) vanaf 30 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2500 +€ 0,85€ 2.125,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
218-3054
Fabrikantnummer:
IPD90N10S4L06ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

90A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-252

Series

OptiMOS-T2

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

75nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Maximum Power Dissipation Pd

136W

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.73mm

Standards/Approvals

No

Height

2.41mm

Width

6.22 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS™-T2 series N-channel power MOSFET. It has low switching and conduction power losses for high thermal efficiency.

N-channel - Enhancement mode

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Gerelateerde Links