Infineon Dual HEXFET 1 Type N-Channel MOSFET Arrays, 21 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 4000 eenheden)*

€ 1.836,00

(excl. BTW)

€ 2.220,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 24 november 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
4000 +€ 0,459€ 1.836,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
215-2584
Fabrikantnummer:
IRF7831TRPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET Arrays

Maximum Continuous Drain Current Id

21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SO-8

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

40nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±12 V

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4 mm

Height

1.5mm

Length

5mm

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

1

Automotive Standard

No

The Infineon HEXFET Power MOSFET series has 30V maximum drain source voltage in a SO-8 package. It has application high frequency point-of-load synchronous buck converter for applications in networking & computing systems.

RoHS Compliant

Industry-leading quality

Low RDS(ON) at 4.5V VGS

Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

Ultra-Low Gate Impedance

Gerelateerde Links