Taiwan Semiconductor TSM025 Type N-Channel MOSFET, 104 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PDFN56 TSM045NB06CR

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 30,07

(excl. BTW)

€ 36,38

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • 980 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 40€ 3,007€ 30,07
50 - 90€ 2,947€ 29,47
100 - 240€ 2,704€ 27,04
250 - 990€ 2,65€ 26,50
1000 +€ 2,46€ 24,60

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
216-9659
Fabrikantnummer:
TSM045NB06CR
Fabrikant:
Taiwan Semiconductor
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Taiwan Semiconductor

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

104A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

TSM025

Package Type

PDFN56

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

136W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

104nC

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC

Automotive Standard

No

The Taiwan semiconductor single N channel power MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Low RDS(ON) to minimize conductive losses Low gate charge for fast power switching 100% UIS and Rg tested

Gerelateerde Links