Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 14 A, 950 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD95R450P7ATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 18,29

(excl. BTW)

€ 22,13

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 1.640 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 10€ 1,829€ 18,29
20 - 40€ 1,738€ 17,38
50 - 90€ 1,701€ 17,01
100 - 240€ 1,592€ 15,92
250 +€ 1,482€ 14,82

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
217-2536
Fabrikantnummer:
IPD95R450P7ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

14A

Maximum Drain Source Voltage Vds

950V

Package Type

TO-252

Series

IPD

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

450mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

35nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

6.22 mm

Height

2.41mm

Standards/Approvals

No

Length

6.73mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon latest 950V CoolMOS™ P7 series sets a new bench mark in 950V super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon’s over 18 years pioneering super junction technology innovation.

Best-in-class FOM RDS(on) Eoss; reduced Qg, Ciss and CossBest-in-class DPAK RDS(on) of 450 mΩ

Best-in-class VGS(th) of 3V and smallest VGS(th) variation of ±0.5V

Integrated Zener diode ESD protection up to Class 2 (HBM)

Best-in-class quality and reliability

Gerelateerde Links