Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 34 A, 200 V Enhancement, 8-Pin SuperSO

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 4000 eenheden)*

€ 3.496,00

(excl. BTW)

€ 4.232,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 4.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
4000 +€ 0,874€ 3.496,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
217-2608
Fabrikantnummer:
IRFH5020TRPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

34A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

SuperSO

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

55mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

34nC

Maximum Power Dissipation Pd

3.6W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

6 mm

Height

0.9mm

Automotive Standard

No

The Infineon 200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package.

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Normal level : Optimized for 10 V gate drive voltage

Industry standard surface-mount power package

Gerelateerde Links