Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 5 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 1.218,00

(excl. BTW)

€ 1.473,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 15.000 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 - 3000€ 0,406€ 1.218,00
6000 +€ 0,386€ 1.158,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
217-2616
Fabrikantnummer:
IRFR220NTRLPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Series

HEXFET

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

600mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

15nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

43W

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

10.41mm

Width

2.39 mm

Length

6.73mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon 200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package.

Planar cell structure for wide SOA

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below <100kHz

Industry standard surface-mount power package

Capable of being wave-soldered

Gerelateerde Links