Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 190 A, 100 V, 7-Pin TO-263

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 800 eenheden)*

€ 1.854,40

(excl. BTW)

€ 2.244,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 30 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
800 +€ 2,318€ 1.854,40

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
217-2641
Fabrikantnummer:
IRLS4030TRL7PP
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

190A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

HEXFET

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.1mΩ

Maximum Power Dissipation Pd

370W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

140nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Width

4.55 mm

Length

10.35mm

Height

15.3mm

Automotive Standard

No

The Infineon 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 7-Pin D2-Pak package.

Optimized for Logic Level Drive

Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS

Superior R*Q at 4.5V VGS I

improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness

Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA

Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

Lead-Free

Gerelateerde Links