Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 57 A, 100 V, 3-Pin TO-263 IRF3710STRLPBF

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 11,73

(excl. BTW)

€ 14,19

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 50 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
  • Plus verzending 4.480 stuk(s) vanaf 06 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 40€ 1,173€ 11,73
50 - 90€ 1,115€ 11,15
100 - 240€ 1,067€ 10,67
250 - 490€ 1,02€ 10,20
500 +€ 0,951€ 9,51

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
218-3096
Fabrikantnummer:
IRF3710STRLPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

57A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-263

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

23mΩ

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

86.7nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

3.8W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

4.83mm

Standards/Approvals

EIA 418

Width

9.65 mm

Length

10.67mm

Automotive Standard

No

Distrelec Product Id

304-39-414

The Infineon HEXFET series N-channel power MOSFET. The HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. It is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2.0W in a typical surface mount application.

Ultra Low On-Resistance

Dynamic dv/dt Rating

175°C Operating Temperature

Fast Switching

Lead-Free

Gerelateerde Links