Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 120 A, 75 V TO-263

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 tube van 100 eenheden)*

€ 114,50

(excl. BTW)

€ 138,50

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 1.000 stuk(s) vanaf 09 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
100 - 100€ 1,145€ 114,50
200 - 400€ 0,939€ 93,90
500 +€ 0,882€ 88,20

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
257-5512
Fabrikantnummer:
IRFB3307PBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

120A

Maximum Drain Source Voltage Vds

75V

Package Type

TO-263

Series

HEXFET

Mount Type

PCB

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.3mΩ

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

200W

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon strongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Industry standard through-hole power package

High-current rating

Gerelateerde Links