Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 28 A, 150 V, 2-Pin DirectFET

Subtotaal (1 rol van 4800 eenheden)*

€ 3.417,60

(excl. BTW)

€ 4.137,60

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 12 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
4800 +€ 0,712€ 3.417,60

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
218-3101
Fabrikantnummer:
IRF6775MTRPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

28A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Package Type

DirectFET

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

2

Maximum Drain Source Resistance Rds

56mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

89W

Standards/Approvals

No

Width

3.95 mm

Length

4.85mm

Height

0.68mm

Automotive Standard

No

The Infineon 150V Single N-channel HEXFET power MOSFET. This Digital Audio MOSFET is specifically designed for Class-D audio amplifier applications. This MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. The lower inductance improves EMI performance by reducing the voltage ringing that accompanies fast current transients.

Latest MOSFET Silicon technology

Dual sided cooling compatible

Compatible with existing surface mount technologies

Lead-Free

Gerelateerde Links