Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 31 A, 100 V Enhancement TO-252

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 1.188,00

(excl. BTW)

€ 1.437,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 15.000 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 - 3000€ 0,396€ 1.188,00
6000 +€ 0,376€ 1.128,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
218-3105
Fabrikantnummer:
IRFR3410TRLPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

31A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-252

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

31Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

110W

Forward Voltage Vf

1.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

56nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

6.22mm

Standards/Approvals

No

Length

6.73mm

Width

2.39 mm

Automotive Standard

No

The Infineon HEXFET series single N-Channel power MOSFET integrated with DPAK (TO-252) type package. This MOSFET is mainly used in high frequency DC-DC converters.

RoHS Compliant

175°C Operating Temperature

Fast switching

Gerelateerde Links