Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 31 A, 100 V Enhancement TO-252 IRFR3410TRLPBF

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 20 eenheden)*

€ 13,26

(excl. BTW)

€ 16,04

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 17.700 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
20 +€ 0,663€ 13,26

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
218-3106
Fabrikantnummer:
IRFR3410TRLPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

31A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

HEXFET

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

31Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

110W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

56nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

2.39 mm

Height

6.22mm

Standards/Approvals

No

Length

6.73mm

Distrelec Product Id

304-39-421

Automotive Standard

No

The Infineon HEXFET series single N-Channel power MOSFET integrated with DPAK (TO-252) type package. This MOSFET is mainly used in high frequency DC-DC converters.

RoHS Compliant

175°C Operating Temperature

Fast switching

Gerelateerde Links