Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET & Diode, 180 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB019N08N3GATMA1

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 4,10

(excl. BTW)

€ 4,96

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 934 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 +€ 2,05€ 4,10

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
220-7376
Fabrikantnummer:
IPB019N08N3GATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET & Diode

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

TO-263

Series

OptiMOS 3

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle).

Optimized technology for DC-DC converters

Excellent gate charge x R DS(ON) product (FOM)

Superior thermal resistance

Dual sided cooling

Low parasitic inductance

Low profile (<0,7mm)

N-channel, normal level

Gerelateerde Links