Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET & Diode, 80 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 1000 eenheden)*

€ 1.578,00

(excl. BTW)

€ 1.909,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 06 januari 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
1000 +€ 1,578€ 1.578,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
220-7381
Fabrikantnummer:
IPB065N10N3GATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET & Diode

Maximum Continuous Drain Current Id

80A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-263

Series

OptiMOS 3

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon 100V OptiMOS power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both R DS(on) and figure of merit.

Excellent switching performance

World’s lowest R DS(on)

Very low Q g and Q gd

Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

Environmentally friendly

Increased efficiency

Highest power density

Less paralleling required

Smallest board-space consumption

Easy-to-design products

Gerelateerde Links