Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 70 A, 120 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB70N12S311ATMA1

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 5,49

(excl. BTW)

€ 6,645

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 940 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 20€ 1,098€ 5,49
25 - 45€ 0,988€ 4,94
50 - 120€ 0,922€ 4,61
125 - 245€ 0,854€ 4,27
250 +€ 0,812€ 4,06

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
220-7395
Fabrikantnummer:
IPB70N12S311ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET & Diode

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

70A

Maximum Drain Source Voltage Vds

120V

Series

OptiMOS

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

11.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon offers a wide portfolio on Automotive power MOSFETs with a voltage of 120V, 150V, 200V, 250V and 300V targeting applications such inverters for Light Electric Vehicles (LSEV, e-Motorcycles, e-Scooters), DC/AC conversion, and On-Board Chargers as well as HV-12V DC/DC Synchronous Rectification for Battery Electric Vehicles (BEV)for the emerging 48V market, check out our newly released 100V products in TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) and SSO8 (TDSON-8).

OptiMOSTM - power MOSFET for automotive applications

N-channel - Enhancement mode

Automotive AEC Q101 qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Gerelateerde Links