Infineon OptiMOS -T2 Type N-Channel MOSFET, 120 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Momenteel niet beschikbaar
We weten niet of dit item nog op voorraad komt, RS is van plan dit binnenkort uit ons assortiment te halen.
RS-stocknr.:
214-4365
Fabrikantnummer:
IPB120N08S403ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

120A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

TO-263

Series

OptiMOS -T2

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

128nC

Maximum Power Dissipation Pd

278W

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Height

4.5mm

Length

10.02mm

Width

9.27 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

This Infineon OptiMOS T2 MOSFET is 100% Avalanche tested and is RoHS compliant.

It is AEC Q101 qualified

Gerelateerde Links