Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET & Diode, 90 A, 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90P03P4L04ATMA2

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 10,26

(excl. BTW)

€ 12,415

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 4.805 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 2,052€ 10,26
50 - 120€ 1,828€ 9,14
125 - 245€ 1,704€ 8,52
250 - 495€ 1,598€ 7,99
500 +€ 1,48€ 7,40

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
220-7416
Fabrikantnummer:
IPD90P03P4L04ATMA2
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET & Diode

Maximum Continuous Drain Current Id

90A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

TO-252

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

125nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

137W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

5 V

Forward Voltage Vf

-1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

6.22 mm

Standards/Approvals

No

Height

2.41mm

Length

6.73mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon offers a wide portfolio of P-channel automotive power MOSFET in DPAK, D2PAK, TO220, TO262 and SO8 package with the technology of OptiMOS -P2 and Gen5.

P-channel - Logic Level - Enhancement mode

No charge pump required for high side drive.

Simple interface drive circuit

World's lowest RDSon at 40V

Highest current capability

Lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency

Gerelateerde Links