Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET & Diode, 90 A, 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*

€ 1.512,50

(excl. BTW)

€ 1.830,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 2.500 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2500 +€ 0,605€ 1.512,50

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
220-7415
Fabrikantnummer:
IPD90P03P4L04ATMA2
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET & Diode

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

90A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

OptiMOS

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-1.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

125nC

Maximum Power Dissipation Pd

137W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

5 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

6.22 mm

Length

6.73mm

Standards/Approvals

No

Height

2.41mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon offers a wide portfolio of P-channel automotive power MOSFET in DPAK, D2PAK, TO220, TO262 and SO8 package with the technology of OptiMOS -P2 and Gen5.

P-channel - Logic Level - Enhancement mode

No charge pump required for high side drive.

Simple interface drive circuit

World's lowest RDSon at 40V

Highest current capability

Lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency

Gerelateerde Links