onsemi NTMT190N Type N-Channel MOSFET, 20 A, 650 V Enhancement, 4-Pin PQFN NTMT190N65S3HF

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 22,51

(excl. BTW)

€ 27,235

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 2.790 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 +€ 4,502€ 22,51

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
221-6740
Fabrikantnummer:
NTMT190N65S3HF
Fabrikant:
onsemi
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

NTMT190N

Package Type

PQFN

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

190mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

34nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

162W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

8.1mm

Standards/Approvals

No

Length

8.1mm

Width

1.1 mm

Automotive Standard

No

The ON Semiconductor SUPERFET III MOSFET has high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provides superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.

Ultra low gate charge

low effective output capacitance 316 pF

100% avalanche tested

Gerelateerde Links