Infineon OptiMOS-TM3 Type N-Channel MOSFET, 40 A, 100 V Enhancement, 8-Pin TSDSON BSZ150N10LS3GATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 11,80

(excl. BTW)

€ 14,30

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 9.580 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 40€ 1,18€ 11,80
50 - 90€ 1,123€ 11,23
100 - 240€ 1,073€ 10,73
250 - 490€ 1,027€ 10,27
500 +€ 0,957€ 9,57

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
222-4634
Fabrikantnummer:
BSZ150N10LS3GATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TSDSON

Series

OptiMOS-TM3

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

15mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

26nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

63W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

6.1 mm

Standards/Approvals

No

Length

5.35mm

Height

1.2mm

Automotive Standard

No

The Infineon design of MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Pb-free lead plating; RoHS compliant

Superior thermal resistance 100% avalanche tested

Halogen-free according to IEC61249-2-23

Gerelateerde Links