Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 19 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 tube van 50 eenheden)*

€ 88,80

(excl. BTW)

€ 107,45

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 950 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
50 +€ 1,776€ 88,80

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
222-4701
Fabrikantnummer:
IPP60R120C7XKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

19A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

CoolMOS

Package Type

TO-220

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

120mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

92W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

34nC

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

15.95 mm

Length

10.36mm

Height

4.57mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Pb-free lead plating; RoHS compliant

Superior thermal resistance 100% avalanche tested

Halogen-free according to IEC61249-2-23

Gerelateerde Links