Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 19 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R120C7XKSA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 7,78

(excl. BTW)

€ 9,42

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 966 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 8€ 3,89€ 7,78
10 - 18€ 3,505€ 7,01
20 - 48€ 3,265€ 6,53
50 - 98€ 3,03€ 6,06
100 +€ 2,845€ 5,69

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
222-4702
Fabrikantnummer:
IPP60R120C7XKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

19A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

CoolMOS

Package Type

TO-220

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

120mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

92W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

34nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

10.36mm

Width

15.95 mm

Height

4.57mm

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Pb-free lead plating; RoHS compliant

Superior thermal resistance 100% avalanche tested

Halogen-free according to IEC61249-2-23

Gerelateerde Links