Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 31.2 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP65R110CFDAAKSA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 14,53

(excl. BTW)

€ 17,582

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 06 oktober 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 8€ 7,265€ 14,53
10 - 18€ 6,39€ 12,78
20 - 48€ 5,96€ 11,92
50 - 98€ 5,595€ 11,19
100 +€ 5,155€ 10,31

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
222-4707
Fabrikantnummer:
IPP65R110CFDAAKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

31.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

CoolMOS

Package Type

TO-220

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

110mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Power Dissipation Pd

277.8W

Forward Voltage Vf

0.9V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

110nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

4.57mm

Width

15.95 mm

Standards/Approvals

No

Length

10.36mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Pb-free lead plating; RoHS compliant

Superior thermal resistance 100% avalanche tested

Halogen-free according to IEC61249-2-23

Gerelateerde Links