Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 31.2 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB65R190C7ATMA2

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 9,68

(excl. BTW)

€ 11,715

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 1.285 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 20€ 1,936€ 9,68
25 - 45€ 1,626€ 8,13
50 - 120€ 1,528€ 7,64
125 - 245€ 1,416€ 7,08
250 +€ 1,316€ 6,58

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
222-4658
Fabrikantnummer:
IPB65R190C7ATMA2
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

31.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-263

Series

CoolMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

110mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon design of Cool MOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. 600V Cool MOS™ C7 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The 600V C7 is the first technology ever with RDS(on)*A below 1Ohm*mm².

AEC Q101 qualified

Gerelateerde Links