Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 150 A, 20 V Enhancement, 2-Pin DirectFET IRF6620TRPBF

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 12,14

(excl. BTW)

€ 14,69

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 13 april 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 40€ 1,214€ 12,14
50 - 90€ 1,153€ 11,53
100 - 240€ 1,037€ 10,37
250 - 490€ 0,933€ 9,33
500 +€ 0,888€ 8,88

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
222-4737
Fabrikantnummer:
IRF6620TRPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

150A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

HEXFET

Package Type

DirectFET

Mount Type

Surface

Pin Count

2

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

28nC

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

89W

Height

0.68mm

Width

5.05 mm

Length

6.35mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon design of HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced Direct FETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapour phase, infra-red or convection soldering techniques, when application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and processes.

100% Rg tested Low Conduction and Switching Losses

Ultra Low Package Inductance Ideal for CPU Core DC-DC Converters

Gerelateerde Links