Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 30 A, 80 V Enhancement, 4-Pin PQFN IRFH8311TRPBF

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 15 eenheden)*

€ 12,015

(excl. BTW)

€ 14,535

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 1.425 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
15 - 60€ 0,801€ 12,02
75 - 135€ 0,761€ 11,42
150 - 360€ 0,745€ 11,18
375 - 735€ 0,697€ 10,46
750 +€ 0,649€ 9,74

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
222-4747
Fabrikantnummer:
IRFH8311TRPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

HEXFET

Package Type

PQFN

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Power Dissipation Pd

96W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

30nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.17mm

Length

5mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

6.15 mm

Automotive Standard

No

The Infineon design of HEXFET® Power MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Low RDSon (<1.15 mΩ)

Low Thermal Resistance to PCB (<0.8°C/W)

100% Rg tested

Low Profile (<0.9 mm)

Gerelateerde Links