Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 12.5 A, 80 V PQFN

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 4000 eenheden)*

€ 1.348,00

(excl. BTW)

€ 1.632,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 8.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
4000 +€ 0,337€ 1.348,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
217-2639
Fabrikantnummer:
IRL80HS120
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

12.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

HEXFET

Package Type

PQFN

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

42mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

11.5W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Width

1 mm

Length

2.1mm

Height

2.1mm

Automotive Standard

No

The Infineon Available in three different voltage classes (60V, 80V and 100V), Infineon’s new logic level power MOSFETs are highly suitable for wireless charging, telecom and adapter applications. The PQFN 2x2 package is especially suited for high speed switching and form factor critical applications. It enables higher power density and improved efficiency as well as significant space saving.

Lowest FOM (R DS(on) x Q g/gd)

Optimized Q g, C oss, and Q rr for fast switching

Logic level compatibility

Tiny PQFN 2x2mm package

Gerelateerde Links