Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 56 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 2000 eenheden)*

€ 1.112,00

(excl. BTW)

€ 1.346,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 19 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2000 - 2000€ 0,556€ 1.112,00
4000 +€ 0,528€ 1.056,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
222-4750
Fabrikantnummer:
IRFR2405TRPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

56A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Series

HEXFET

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

160kΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

110W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

110nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

2.39 mm

Length

6.73mm

Standards/Approvals

No

Height

6.22mm

Automotive Standard

No

The Infineon design of HEXFET® Power MOSFETs from international rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Advanced Process Technology

Dynamic dv/dt Rating

Fast Switching

Fully Avalanche Rated

Gerelateerde Links