Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 16 A, 110 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR3910TRLPBF

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 20 eenheden)*

€ 11,94

(excl. BTW)

€ 14,44

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 20 stuk(s) vanaf 29 december 2025
  • Plus verzending 6.280 stuk(s) vanaf 05 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
20 - 80€ 0,597€ 11,94
100 - 180€ 0,496€ 9,92
200 - 480€ 0,466€ 9,32
500 - 980€ 0,431€ 8,62
1000 +€ 0,409€ 8,18

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
222-4753
Fabrikantnummer:
IRFR3910TRLPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

16A

Maximum Drain Source Voltage Vds

110V

Package Type

TO-252

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.12mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

79W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

44nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Height

6.22mm

Length

6.73mm

Width

2.39 mm

Automotive Standard

No

The Infineon design of HEXFET® Power MOSFETs from international rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Advanced Process Technology

Dynamic dv/dt Rating

Fast Switching

Fully Avalanche Rated

Gerelateerde Links