Infineon Dual FF6MR 1 Type N-Channel MOSFET, 250 A, 1200 V Enhancement AG-62MM FF6MR12KM1BOSA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 773,95

(excl. BTW)

€ 936,48

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 28 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 1€ 773,95
2 - 2€ 735,25
3 +€ 704,29

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
222-4796
Fabrikantnummer:
FF6MR12KM1BOSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

250A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

AG-62MM

Series

FF6MR

Mount Type

Chassis

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.81mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-40°C

Forward Voltage Vf

5.85V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Dual

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

1

Automotive Standard

No

The Infineon 62 mm 1200 V, 6 mΩ half bridge module with Cool Sic™ MOSFET.

High current density

Low switching losses

Superior gate oxide reliability

Highest robustness against humidity

Robust integrated body diode, and thus optimal thermal conditions

Gerelateerde Links