Infineon Dual FF6MR 1 Type N-Channel MOSFET, 250 A, 1200 V Enhancement AG-62MM FF6MR12KM1BOSA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 875,54

(excl. BTW)

€ 1.059,40

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 28 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 1€ 875,54
2 - 2€ 831,76
3 +€ 796,74

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
222-4796
Fabrikantnummer:
FF6MR12KM1BOSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

250A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

FF6MR

Package Type

AG-62MM

Mount Type

Chassis

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.81mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

5.85V

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Dual

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

1

Automotive Standard

No

The Infineon 62 mm 1200 V, 6 mΩ half bridge module with Cool Sic™ MOSFET.

High current density

Low switching losses

Superior gate oxide reliability

Highest robustness against humidity

Robust integrated body diode, and thus optimal thermal conditions

Gerelateerde Links