Infineon FF6MR Type N-Channel MOSFET, 150 A, 1200 V Enhancement AG-EASY2B FF6MR20W2M1HB70BPSA1

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 716,92

(excl. BTW)

€ 867,47

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 15 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 +€ 716,92

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
351-916
Fabrikantnummer:
FF6MR20W2M1HB70BPSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

150A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

AG-EASY2B

Series

FF6MR

Mount Type

Through Hole

Maximum Drain Source Resistance Rds

10mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

5.35V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

23 V

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

62.8mm

Standards/Approvals

IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747

Height

12.255mm

Width

48 mm

Automotive Standard

No

The Infineon EasyDUAL 2B CoolSiC MOSFET half-bridge module 2000 V, 6 mΩ with NTC temperature sensor, Press FIT Contact Technology and aluminum nitride ceramic.

Best in Class packages with 12mm height

Leading edge WBG material

Very low module stray inductance

Press FIT pins

Integrated NTC temperature sensor

Wide gate source voltage range

Low switching & conduction losses

Gerelateerde Links