ROHM Dual 2 Type N, Type P-Channel MOSFET, 7 A, 30 V Enhancement, 9-Pin DFN HS8MA2TCR1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 25 eenheden)*

€ 23,40

(excl. BTW)

€ 28,325

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 75 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
25 - 25€ 0,936€ 23,40
50 - 75€ 0,917€ 22,93
100 - 225€ 0,842€ 21,05
250 - 475€ 0,826€ 20,65
500 +€ 0,808€ 20,20

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
223-6203
Fabrikantnummer:
HS8MA2TCR1
Fabrikant:
ROHM
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

ROHM

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N, Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

DFN

Mount Type

Surface

Pin Count

9

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.08Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7.8nC

Maximum Power Dissipation Pd

4W

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Dual

Height

0.8mm

Width

3.3 mm

Length

3.3mm

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The ROHM small signal MOSFET has TSMT8 package type. It is mainly used for switching.

Low on - resistance

Small surface mount package

Pb-free plating, RoHS compliant

Gerelateerde Links