Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 30 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*

€ 912,50

(excl. BTW)

€ 1.105,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 2.500 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2500 - 2500€ 0,365€ 912,50
5000 +€ 0,346€ 865,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
223-8514
Fabrikantnummer:
IPD26N06S2L35ATMA2
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Series

OptiMOS

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

35mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

68W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1nC

Forward Voltage Vf

0.95V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS series N-channel MOSFET in DPAK package. It has benefits of highest current capability, lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency and robust packages with superior quality and reliability.

Automotive AEC Q101 qualified

•MSL1 up to 260°C peak reflow

•175°C operating temperature

•Green package

•Ultra low Rds

•100% Avalanche tested

Gerelateerde Links