Vishay E N-Channel MOSFET, 85 A, 700 V Enhancement, 3-Pin Super-247 SiHS90N65E-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Momenteel niet beschikbaar
We weten niet of dit item nog op voorraad komt, RS is van plan dit binnenkort uit ons assortiment te halen.
Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
228-2885
Fabrikantnummer:
SiHS90N65E-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Series

E

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current (Id)

85 A

Maximum Drain Source Voltage (Vds)

700 V

Channel Mode

Enhancement

Pin Count

3

Package Type

Super-247

Automotive Standard

No

Forward Voltage (Vf)

900 mV

Maximum Drain Source Resistance (Rds)

29 mΩ

Maximum Gate Source Voltage (Vgs)

20 V

Maximum Operating Temperature

150 °C

Maximum Power Dissipation (Pd)

625 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Mount Type

Through Hole, Through Hole

Standards/Approvals

No

Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs

394 nC

The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.