Vishay Type N-Channel MOSFET, 410 A, 30 V Depletion, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ186EP-T1_GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 8,54

(excl. BTW)

€ 10,33

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 2.010 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 0,854€ 8,54
100 - 240€ 0,803€ 8,03
250 - 490€ 0,726€ 7,26
500 - 990€ 0,683€ 6,83
1000 +€ 0,642€ 6,42

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
239-8671
Fabrikantnummer:
SQJ186EP-T1_GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

410A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK SO-8L

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.02Ω

Channel Mode

Depletion

Maximum Power Dissipation Pd

255W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

43nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

125°C

Length

6.15mm

Width

4.9 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay SIDR is automotive N-Channel MOSFET which operates at 80 V and 175 °C temperature. This MOSFET used for high power density.

AEC-Q101 qualified

UIS tested

Gerelateerde Links