Vishay SQJ Type N-Channel MOSFET, 66 A, 80 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ186ELP-T1_GE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 1.305,00

(excl. BTW)

€ 1.578,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 07 augustus 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,435€ 1.305,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
268-8364
Fabrikantnummer:
SQJ186ELP-T1_GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

66A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PowerPAK SO-8L

Series

SQJ

Mount Type

PCB

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.032Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

45nC

Maximum Power Dissipation Pd

135W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

4.9mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

Land van herkomst:
CN
The Vishay automotive N channel TrenchFET generation 4 power MOSFET is lead Pb and halogen free device. It is single configuration device and that has independent of operating temperature.

AEC Q101 qualified

ROHS compliant

UIS tested 100 percent

Gerelateerde Links