Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 273 A, 100 V N, 3-Pin TO-263 IPB60R070CFD7ATMA1

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 3,89

(excl. BTW)

€ 4,71

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 970 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 +€ 3,89

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
242-5830
Fabrikantnummer:
IPB60R070CFD7ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

273A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-263

Series

iPB

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.7mΩ

Channel Mode

N

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

Land van herkomst:
MY
The Infineon Super junction MOSFET in D2PAK package is ideally suited for resonant topologies in high power SMPS, such as server, telecom and EV charging stations, where it enables significant efficiency improvements. As successor to the CFD2 SJ MOSFET family it comes with reduced gate charge, improved turn-off behaviour and up to 69% reduced reverse recovery charge compared to competitors.

Ultra-fast body diode

Best-in-class reverse recovery charge (Qrr)

Improved reverse diode dv/dt and dif/dt ruggedness

Lowest FOM RDS(on) x Qg and EOSS

Excellent hard commutation ruggedness

Gerelateerde Links