Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V N, 3-Pin TO-252 IPD50N10S3L16ATMA1

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 1,40

(excl. BTW)

€ 1,70

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 1.500 stuk(s) vanaf 08 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 +€ 0,70€ 1,40

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
244-0878
Fabrikantnummer:
IPD50N10S3L16ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-252

Series

IPD

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.7mΩ

Channel Mode

N

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon MOSFET OptiMOSTM Power Transistor is a Green product RoHS compliant and is Automotive AEC Q101 qualified.

N-channel - Enhancement mode

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

100% Avalanche tested

Gerelateerde Links