Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 400 A, 800 V, 8-Pin TO-263

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 2000 eenheden)*

€ 5.218,00

(excl. BTW)

€ 6.314,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 25 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2000 +€ 2,609€ 5.218,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
244-0901
Fabrikantnummer:
IPT012N08N5ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

400A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

IPT

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.2mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

Infineon’s OptiMOS power MOSFET in TO-Leadless package is optimized for high current applications up to 300 A, such as forklifts, light electric vehicles (LEV), power tools, point-of-loads (POL), telecom and e-fuses. Furthermore, the 60 percent smaller package size enables a very compact design.

N-channel, normal level

100% avalanche tested

Pb-free plating

RoHS compliant

Gerelateerde Links