Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 400 A, 800 V, 8-Pin TO-263 IPT012N08N5ATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 6,00

(excl. BTW)

€ 7,26

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 1.025 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 6,00
10 - 24€ 5,71
25 - 49€ 5,47
50 - 99€ 5,23
100 +€ 4,86

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
244-0902
Fabrikantnummer:
IPT012N08N5ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

400A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-263

Series

IPT

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.2mΩ

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Forward Voltage Vf

1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

Infineon’s OptiMOS power MOSFET in TO-Leadless package is optimized for high current applications up to 300 A, such as forklifts, light electric vehicles (LEV), power tools, point-of-loads (POL), telecom and e-fuses. Furthermore, the 60 percent smaller package size enables a very compact design.

N-channel, normal level

100% avalanche tested

Pb-free plating

RoHS compliant

Gerelateerde Links