Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 180 A, 75 V N, 3-Pin TO-252 IPD80R450P7ATMA1

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 3,54

(excl. BTW)

€ 4,28

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 2.438 stuk(s) vanaf 01 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 +€ 1,77€ 3,54

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
244-8551
Fabrikantnummer:
IPD80R450P7ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

75V

Package Type

TO-252

Series

IPD

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3mΩ

Channel Mode

N

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon MOSFET 800V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 800V super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon’s over 18 years pioneering super junction technology innovation.

Best-in-class FOM RDS(on) Eoss

Best-in-class DPAK RDS(on)

Best-in-class V(GS)th of 3V

Fully optimized portfolio

Integrated Zener Diode ESD protection

Gerelateerde Links