DiodesZetex 2 Type N-Channel MOSFET, 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-363

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 150,00

(excl. BTW)

€ 180,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 09 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,05€ 150,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
246-6798
Fabrikantnummer:
DMN2710UDW-7
Fabrikant:
DiodesZetex
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

DiodesZetex

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

SOT-363

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.75Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

0.36W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.6nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

6 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The DiodesZetex makes an N-channel enhancement mode MOSFET, designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. It is a green device and, totally Lead, halogen and Antimony free. This MOSFET comes in SOT363 packaging. It offers fast switching and high efficiency. Its 100% unclamped inductive switching ensures more reliable and robust end application.

Maximum drain to source voltage is 20 V and Maximum gate to source voltage is ±6 V It offers a ultra-small package size It has low input/output leakage

Gerelateerde Links