DiodesZetex Dual DMN Type N-Channel MOSFET, 261 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-363

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 129,00

(excl. BTW)

€ 156,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 20 juli 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,043€ 129,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
222-2843
Fabrikantnummer:
DMN62D4LDW-7
Fabrikant:
DiodesZetex
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

DiodesZetex

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

261mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

DMN

Package Type

SOT-363

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

3Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

0.45W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.8V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.51nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Dual

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

The DiodesZetex Dual n-channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

Dual N-Channel MOSFET

Low On-Resistance

Low Gate Threshold Voltage

Low Input Capacitance

Fast Switching Speed

Gerelateerde Links